Infineon Technologies - F3L200R12W2H3B11BPSA1

KEY Part #: K6534527

F3L200R12W2H3B11BPSA1 Preços (USD) [1046pcs Estoque]

  • 1 pcs$44.42581

Número da peça:
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE VCES 650V 200A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L200R12W2H3B11BPSA1 Atributos do produto

Número da peça : F3L200R12W2H3B11BPSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE VCES 650V 200A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Potência - Max : 600W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.75V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 11.5nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module