Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TA

KEY Part #: K6523180

ZXMN6A11DN8TA Preços (USD) [173187pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.21357
  • 500 pcs$0.19577

Número da peça:
ZXMN6A11DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A11DN8TA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN6A11DN8TA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.7nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 40V
Potência - Max : 1.8W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP

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