IXKG25N80C Preços (USD) [4446pcs Estoque]
- 1 pcs$10.77064
- 25 pcs$10.71706
- Número da peça:
- IXKG25N80C
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 25A ISO264.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXKG25N80C electronic components. IXKG25N80C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKG25N80C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXKG25N80C Atributos do produto
Número da peça :
IXKG25N80C
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
166nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISO264™
Pacote / caso :
ISO264™
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