SI7998DP-T1-GE3 Preços (USD) [123967pcs Estoque]
- 1 pcs$0.29837
- 3,000 pcs$0.28017
- Número da peça:
- SI7998DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 electronic components. SI7998DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7998DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7998DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7998DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V
Potência - Max :
22W, 40W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
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