IXFN120N20 Preços (USD) [3275pcs Estoque]
- 1 pcs$13.88510
- 10 pcs$12.84221
- 25 pcs$11.80118
- 100 pcs$10.96812
- 250 pcs$10.06569
- Número da peça:
- IXFN120N20
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IXFN120N20 Atributos do produto
Número da peça :
IXFN120N20
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
360nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
600W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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