ON Semiconductor - NRVB830MFST1G

KEY Part #: K6440660

NRVB830MFST1G Preços (USD) [281148pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13883
  • 1,500 pcs$0.13814

Número da peça:
NRVB830MFST1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVB830MFST1G Atributos do produto

Número da peça : NRVB830MFST1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 30V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 200µA @ 30V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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