FDV303N Preços (USD) [1235584pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02994
- 3,000 pcs$0.02292
- Número da peça:
- FDV303N
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDV303N electronic components. FDV303N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDV303N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDV303N Atributos do produto
Número da peça :
FDV303N
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
680mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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