Diodes Incorporated - ZXMP6A16DN8QTA

KEY Part #: K6522123

ZXMP6A16DN8QTA Preços (USD) [99607pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.39255
  • 500 pcs$0.33890

Número da peça:
ZXMP6A16DN8QTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMP6A16DN8QTA Atributos do produto

Número da peça : ZXMP6A16DN8QTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24.2nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1021pF @ 30V
Potência - Max : 1.81W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO