Infineon Technologies - IRFH7440TRPBF

KEY Part #: K6418080

IRFH7440TRPBF Preços (USD) [133049pcs Estoque]

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Número da peça:
IRFH7440TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH7440TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFH7440TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Series : HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 85A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4574pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN