FDT434P Preços (USD) [348595pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10664
- 4,000 pcs$0.10610
- Número da peça:
- FDT434P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDT434P electronic components. FDT434P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT434P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDT434P Atributos do produto
Número da peça :
FDT434P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1187pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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