ON Semiconductor - FDMS3669S

KEY Part #: K6523076

FDMS3669S Preços (USD) [293170pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12680
  • 3,000 pcs$0.12616

Número da peça:
FDMS3669S
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3669S Atributos do produto

Número da peça : FDMS3669S
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1605pF @ 15V
Potência - Max : 1W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Power56

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