Microsemi Corporation - APT35GP120B2DQ2G

KEY Part #: K6421751

APT35GP120B2DQ2G Preços (USD) [4309pcs Estoque]

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  • 10 pcs$9.13998
  • 25 pcs$8.45448
  • 100 pcs$7.38992
  • 250 pcs$6.73790

Número da peça:
APT35GP120B2DQ2G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT35GP120B2DQ2G Atributos do produto

Número da peça : APT35GP120B2DQ2G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Series : POWER MOS 7®
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 96A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 140A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 35A
Potência - Max : 543W
Energia de comutação : 750µJ (on), 680µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 150nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 16ns/95ns
Condição de teste : 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -

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