Número da peça :
1N5420US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 9A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
400ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 600V
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-5B
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C