GeneSiC Semiconductor - MURTA20060

KEY Part #: K6468935

MURTA20060 Preços (USD) [893pcs Estoque]

  • 1 pcs$52.02314
  • 18 pcs$36.55488

Número da peça:
MURTA20060
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER. Rectifiers 600V 200A Si Super Fast Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA20060 Atributos do produto

Número da peça : MURTA20060
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 100A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 25µA @ 600V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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