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  5. MBRTA600200R

GeneSiC Semiconductor - MBRTA600200R

KEY Part #: K6475780

[5985pcs Estoque]

    Número da peça:
    MBRTA600200R
    Fabricante:
    GeneSiC Semiconductor
    Descrição detalhada:
    DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRTA600200R electronic components. MBRTA600200R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRTA600200R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRTA600200R Atributos do produto

    Número da peça : MBRTA600200R
    Fabricante : GeneSiC Semiconductor
    Descrição : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
    Tipo de Diodo : Schottky
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
    Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 300A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 4mA @ 200V
    Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote / caso : Three Tower
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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