S3BHE3_A/H Preços (USD) [363076pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10187
- 1,700 pcs$0.07483
- Número da peça:
- S3BHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 3A 100V 100A@8.3ms Single Die Auto
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S3BHE3_A/H electronic components. S3BHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3BHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S3BHE3_A/H Atributos do produto
Número da peça :
S3BHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 2.5A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
2.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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