HGT1S12N60A4DS Preços (USD) [28587pcs Estoque]
- 1 pcs$1.44885
- 800 pcs$1.44164
- Número da peça:
- HGT1S12N60A4DS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 54A 167W D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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HGT1S12N60A4DS Atributos do produto
Número da peça :
HGT1S12N60A4DS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
54A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
96A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 12A
Potência - Max :
167W
Energia de comutação :
55µJ (on), 50µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
78nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
17ns/96ns
Condição de teste :
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
30ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
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