IKZ75N65EH5XKSA1 Preços (USD) [13507pcs Estoque]
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- 10 pcs$3.19596
- 100 pcs$2.64579
- 500 pcs$2.30392
- 1,000 pcs$2.00663
- Número da peça:
- IKZ75N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IKZ75N65EH5XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IKZ75N65EH5XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Series :
TrenchStop™ 5
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
90A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
300A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Potência - Max :
395W
Energia de comutação :
680µJ (on), 430µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
166nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
26ns/347ns
Condição de teste :
400V, 37.5A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
58ns
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-4
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-4
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