Diodes Incorporated - DMNH6021SPDQ-13

KEY Part #: K6522512

DMNH6021SPDQ-13 Preços (USD) [154669pcs Estoque]

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  • 2,500 pcs$0.18881

Número da peça:
DMNH6021SPDQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMNH6021SPDQ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMNH6021SPDQ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.2A, 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20.1nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1143pF @ 25V
Potência - Max : 1.5W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI5060-8