FQB6N80TM Preços (USD) [66450pcs Estoque]
- 1 pcs$1.09960
- 10 pcs$0.99132
- 100 pcs$0.79673
- Número da peça:
- FQB6N80TM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQB6N80TM electronic components. FQB6N80TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB6N80TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB6N80TM Atributos do produto
Número da peça :
FQB6N80TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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