[2885pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI8447DB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8447DB-T2-E1 electronic components. SI8447DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8447DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8447DB-T2-E1 Atributos do produto
Número da peça :
SI8447DB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pacote / caso :
6-UFBGA
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