TK32E12N1,S1X Preços (USD) [66326pcs Estoque]
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- 50 pcs$0.51895
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- 500 pcs$0.33312
- 1,000 pcs$0.26299
- Número da peça:
- TK32E12N1,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 120V 60A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X electronic components. TK32E12N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK32E12N1,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK32E12N1,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK32E12N1,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 60V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
98W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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