TK35N65W,S1F Preços (USD) [13079pcs Estoque]
- 1 pcs$3.46831
- 30 pcs$2.84222
- 120 pcs$2.56491
- 510 pcs$2.14898
- 1,020 pcs$1.87170
- Número da peça:
- TK35N65W,S1F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 35A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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TK35N65W,S1F Atributos do produto
Número da peça :
TK35N65W,S1F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 2.1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
270W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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