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  5. GB02SLT12-252

GeneSiC Semiconductor - GB02SLT12-252

KEY Part #: K6452531

GB02SLT12-252 Preços (USD) [55641pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.81280
  • 2,500 pcs$0.80875
  • 5,000 pcs$0.77835
Número da peça:
GB02SLT12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 electronic components. GB02SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB02SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SLT12-252 Atributos do produto

Número da peça : GB02SLT12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 5A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 2A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 50µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 131pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
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