Diodes Incorporated - ZXMC3F31DN8TA

KEY Part #: K6522814

ZXMC3F31DN8TA Preços (USD) [216484pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17086
  • 500 pcs$0.15662

Número da peça:
ZXMC3F31DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMC3F31DN8TA Atributos do produto

Número da peça : ZXMC3F31DN8TA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.8A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12.9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 608pF @ 15V
Potência - Max : 1.8W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO