Número da peça :
APTGTQ100DDA65T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
POWER MODULE - IGBT
Configuração :
Dual Boost Chopper
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
100µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
6nF @ 25V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP3F