Microsemi Corporation - APTGT75SK120TG

KEY Part #: K6532982

APTGT75SK120TG Preços (USD) [2044pcs Estoque]

  • 1 pcs$21.18537
  • 100 pcs$20.32038

Número da peça:
APTGT75SK120TG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 110A 357W SP4.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT75SK120TG Atributos do produto

Número da peça : APTGT75SK120TG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 110A 357W SP4
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 110A
Potência - Max : 357W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 5.34nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP4
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP4