APTGT75H60T1G Preços (USD) [2155pcs Estoque]
- 1 pcs$29.90601
- 10 pcs$28.14547
- 25 pcs$26.38642
- 100 pcs$25.15511
- Número da peça:
- APTGT75H60T1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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APTGT75H60T1G Atributos do produto
Número da peça :
APTGT75H60T1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Full Bridge Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100A
Potência - Max :
250W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1
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