Infineon Technologies - IRG4BC30FD1PBF

KEY Part #: K6424433

IRG4BC30FD1PBF Preços (USD) [9310pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.82462

Número da peça:
IRG4BC30FD1PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 600V 31A 100W TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRG4BC30FD1PBF Atributos do produto

Número da peça : IRG4BC30FD1PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 600V 31A 100W TO220AB
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo IGBT : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 31A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 124A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.8V @ 15V, 17A
Potência - Max : 100W
Energia de comutação : 370µJ (on), 1.42mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 57nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 22ns/250ns
Condição de teste : 480V, 17A, 23 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 46ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB