STMicroelectronics - STP100N8F6

KEY Part #: K6411534

STP100N8F6 Preços (USD) [61123pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.53893
  • 100 pcs$0.42592
  • 500 pcs$0.31245
  • 1,000 pcs$0.24667

Número da peça:
STP100N8F6
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP100N8F6 Atributos do produto

Número da peça : STP100N8F6
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Series : STripFET™ F6
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5955pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 176W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3