Microsemi Corporation - APTGT200DA120D3G

KEY Part #: K6533109

APTGT200DA120D3G Preços (USD) [1165pcs Estoque]

  • 1 pcs$37.14864
  • 100 pcs$35.24754

Número da peça:
APTGT200DA120D3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 300A 1050W D3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DA120D3G Atributos do produto

Número da peça : APTGT200DA120D3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 300A 1050W D3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 300A
Potência - Max : 1050W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 6mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : D-3 Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D3