BSM180C12P2E202 Preços (USD) [164pcs Estoque]
- 1 pcs$281.91240
- Número da peça:
- BSM180C12P2E202
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202 electronic components. BSM180C12P2E202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM180C12P2E202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM180C12P2E202 Atributos do produto
Número da peça :
BSM180C12P2E202
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
204A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
+22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
20000pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1360W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
Pacote / caso :
Module
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