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  5. 1N5554US

Microsemi Corporation - 1N5554US

KEY Part #: K6441967

1N5554US Preços (USD) [8159pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.85250
  • 10 pcs$5.32145
  • 25 pcs$4.92227
  • 100 pcs$4.52326
  • 250 pcs$4.12412
  • 500 pcs$3.85806
Número da peça:
1N5554US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5554US electronic components. 1N5554US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5554US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5554US Atributos do produto

Número da peça : 1N5554US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 2µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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