STMicroelectronics - STD9N65M2

KEY Part #: K6419326

STD9N65M2 Preços (USD) [105345pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.37117
  • 2,500 pcs$0.31128

Número da peça:
STD9N65M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD9N65M2 Atributos do produto

Número da peça : STD9N65M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Series : MDmesh™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 60W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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