Infineon Technologies - BSM50GAL120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534560

BSM50GAL120DN2HOSA1 Preços (USD) [1347pcs Estoque]

  • 1 pcs$32.12939

Número da peça:
BSM50GAL120DN2HOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GAL120DN2HOSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSM50GAL120DN2HOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Configuração : Single Switch
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 78A
Potência - Max : 400W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module