IRFP4227PBF Preços (USD) [18931pcs Estoque]
- 1 pcs$1.96552
- 10 pcs$1.75619
- 100 pcs$1.43999
- 500 pcs$1.10624
- 1,000 pcs$0.93297
- Número da peça:
- IRFP4227PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRFP4227PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFP4227PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
65A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
98nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
330W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AC
Pacote / caso :
TO-247-3
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