MMIX1F210N30P3 Preços (USD) [3186pcs Estoque]
- 1 pcs$13.59350
- 100 pcs$11.72649
- Número da peça:
- MMIX1F210N30P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 300V 108A MMIX.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS MMIX1F210N30P3 electronic components. MMIX1F210N30P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1F210N30P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMIX1F210N30P3 Atributos do produto
Número da peça :
MMIX1F210N30P3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
Series :
HiPerFET™, Polar3™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
108A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
16200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
24-SMPD
Pacote / caso :
24-PowerSMD, 21 Leads
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