Cree/Wolfspeed - C2M0280120D

KEY Part #: K6417056

C2M0280120D Preços (USD) [16406pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.51199

Número da peça:
C2M0280120D
Fabricante:
Cree/Wolfspeed
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C2M0280120D Atributos do produto

Número da peça : C2M0280120D
Fabricante : Cree/Wolfspeed
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Series : Z-FET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20.4nC @ 20V
Vgs (máx.) : +25V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 259pF @ 1000V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 62.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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