DF200R12PT4B6BOSA1 Preços (USD) [505pcs Estoque]
- 1 pcs$91.86184
- Número da peça:
- DF200R12PT4B6BOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies DF200R12PT4B6BOSA1 electronic components. DF200R12PT4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12PT4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF200R12PT4B6BOSA1 Atributos do produto
Número da peça :
DF200R12PT4B6BOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
300A
Potência - Max :
1100W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
15µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
12.5nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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