Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2BHE3/5BT

KEY Part #: K6447588

[1373pcs Estoque]


    Número da peça:
    ES2BHE3/5BT
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2BHE3/5BT electronic components. ES2BHE3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2BHE3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES2BHE3/5BT Atributos do produto

    Número da peça : ES2BHE3/5BT
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
    Series : -
    Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
    Atual - Média Retificada (Io) : 2A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 2A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 100V
    Capacitância @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : DO-214AA, SMB
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA (SMB)
    Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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