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  5. GB2X100MPS12-227

GeneSiC Semiconductor - GB2X100MPS12-227

KEY Part #: K6469821

GB2X100MPS12-227 Preços (USD) [629pcs Estoque]

  • 1 pcs$73.79442
Número da peça:
GB2X100MPS12-227
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 200A SOT-227
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 electronic components. GB2X100MPS12-227 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB2X100MPS12-227, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB2X100MPS12-227 Atributos do produto

Número da peça : GB2X100MPS12-227
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 2 Independent
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 185A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 100A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 80µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227
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