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  5. MBRT60080R

GeneSiC Semiconductor - MBRT60080R

KEY Part #: K6468761

MBRT60080R Preços (USD) [826pcs Estoque]

  • 1 pcs$56.22437
  • 25 pcs$38.22151
Número da peça:
MBRT60080R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT60080R electronic components. MBRT60080R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT60080R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT60080R Atributos do produto

Número da peça : MBRT60080R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 600A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 300A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 20V
Temperatura de funcionamento - junção : -
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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