TK17E65W,S1X Preços (USD) [2740pcs Estoque]
- 1 pcs$1.38380
- 50 pcs$1.05554
- 100 pcs$0.96167
- Número da peça:
- TK17E65W,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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TK17E65W,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK17E65W,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 900µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
165W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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