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  5. MSRT10060(A)D

GeneSiC Semiconductor - MSRT10060(A)D

KEY Part #: K6468969

MSRT10060(A)D Preços (USD) [1746pcs Estoque]

  • 1 pcs$24.78775
  • 25 pcs$18.39542
Número da peça:
MSRT10060(A)D
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 600V 100A Forward
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT10060(A)D electronic components. MSRT10060(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT10060(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT10060(A)D Atributos do produto

Número da peça : MSRT10060(A)D
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Series Connection
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 100A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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