SI3443DDV-T1-GE3 Preços (USD) [944660pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03935
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- Número da peça:
- SI3443DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-GE3 electronic components. SI3443DDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3443DDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI3443DDV-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI3443DDV-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta), 5.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
47 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
970pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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