Diodes Incorporated - BSP75GQTA

KEY Part #: K6396290

BSP75GQTA Preços (USD) [126380pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29267

Número da peça:
BSP75GQTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP75GQTA Atributos do produto

Número da peça : BSP75GQTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA