ON Semiconductor - NTD4815N-35G

KEY Part #: K6399016

NTD4815N-35G Preços (USD) [119899pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.09348

Número da peça:
NTD4815N-35G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD4815N-35G Atributos do produto

Número da peça : NTD4815N-35G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 11.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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