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  5. GB10SLT12-252

GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-252

KEY Part #: K6454697

GB10SLT12-252 Preços (USD) [15875pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.60550
  • 5,025 pcs$3.58756
Número da peça:
GB10SLT12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 electronic components. GB10SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB10SLT12-252 Atributos do produto

Número da peça : GB10SLT12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 250µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
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