IPP65R190E6XKSA1 Preços (USD) [26720pcs Estoque]
- 1 pcs$1.41465
- 10 pcs$1.26393
- 100 pcs$0.98316
- 500 pcs$0.79613
- 1,000 pcs$0.67143
- Número da peça:
- IPP65R190E6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
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IPP65R190E6XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP65R190E6XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 730µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
73nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1620pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
151W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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