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  5. 1N5614US

Microsemi Corporation - 1N5614US

KEY Part #: K6440376

1N5614US Preços (USD) [11145pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.78121
  • 10 pcs$3.40441
  • 25 pcs$3.10200
  • 100 pcs$2.79933
  • 250 pcs$2.57235
  • 500 pcs$2.34537
  • 1,000 pcs$2.04275
Número da peça:
1N5614US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5614US electronic components. 1N5614US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5614US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5614US Atributos do produto

Número da peça : 1N5614US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 3A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 2µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500nA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5A
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 200°C

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